三星、SK海力士將既有產(chǎn)能全力沖刺生產(chǎn)高端DRAM及高頻寬存儲(chǔ)（HBM），大舉排擠NAND Flash產(chǎn)出，兩大廠今年同步大砍NAND芯片產(chǎn)量，三星全年產(chǎn)量甚至比先前景氣低迷時(shí)還少，將使得全球NAND芯片市場(chǎng)持續(xù)供不應(yīng)求，價(jià)格再度狂飆。

市場(chǎng)估算，全球NAND芯片供給結(jié)構(gòu)性缺口將因此擴(kuò)大約3%至4%，時(shí)值NAND芯片嚴(yán)重供不應(yīng)求、價(jià)格狂漲，兩大廠產(chǎn)出不增反減，將使得供給更吃緊，價(jià)格漲勢(shì)延續(xù)，臺(tái)灣NAND芯片應(yīng)用雙巨頭群聯(lián)（8299）、點(diǎn)序（6485）將成兩大贏家，模組廠威剛、創(chuàng)見、十銓等也沾光。

韓媒Chosun Biz引述市場(chǎng)研究公司Omdia的數(shù)據(jù)報(bào)道，三星、SK海力士沖刺高端DRAM與HBM，持續(xù)降低NAND芯片產(chǎn)出，其中，三星今年NAND芯片產(chǎn)量將由去年的490萬片降至468萬片，減幅約4.5%，比2024年市況不好時(shí)的產(chǎn)出還少。

SK海力士更將由去年的190萬片降至170萬片，減幅10.5%。總計(jì)兩大廠今年NAND芯片產(chǎn)出量由去年的680萬片降至約638萬片，年減約6.2%。

報(bào)道指出，三星、SK海力士占全球NAND芯片產(chǎn)能逾六成，此次兩大廠同步削減產(chǎn)能，對(duì)市場(chǎng)供給影響甚鉅。

業(yè)界分析，現(xiàn)階段NAND芯片供給吃緊，高端存儲(chǔ)市場(chǎng)更火熱、價(jià)格更好，由于NAND芯片與DRAM產(chǎn)能可互相轉(zhuǎn)換，“三星、SK海力士并非不想賺NAND市場(chǎng)缺貨財(cái)，而是高端DRAM更好賺”，惟兩大廠并無多馀產(chǎn)能可調(diào)配，在利益最大化的前提下，只能把“相對(duì)賺得少”的NAND芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)換成生產(chǎn)高端DRAM，“這樣賺更多”。

三星、SK海力士減產(chǎn)，加上AI推理應(yīng)用持續(xù)擴(kuò)大，數(shù)據(jù)中心對(duì)高容量SSD與儲(chǔ)存資源需求同步升溫，NAND芯片逐步從消費(fèi)性零組件，轉(zhuǎn)為AI基礎(chǔ)建設(shè)的一環(huán)，業(yè)界正向看待將推升NAND芯片報(bào)價(jià)繼續(xù)走揚(yáng)。

中國臺(tái)灣供應(yīng)鏈方面，群聯(lián)認(rèn)為，云端服務(wù)業(yè)者對(duì)企業(yè)級(jí)SSD與儲(chǔ)存容量需求呈現(xiàn)結(jié)構(gòu)性增長，目前市場(chǎng)供給仍偏緊，缺口約在一成以上，短期內(nèi)難以緩解，尤其主要NAND芯片廠過去幾年對(duì)擴(kuò)產(chǎn)態(tài)度保守，即使啟動(dòng)新投資，新增產(chǎn)能最快也要到2027年后才可能逐步開出。

點(diǎn)序方面，該公司深耕NAND控制芯片，同樣搭上價(jià)格上揚(yáng)走勢(shì)，挹注運(yùn)營動(dòng)能。