近日，關(guān)于英特爾可能重回蘋(píng)果陣營(yíng)，為其部分M系列處理器和非Pro版iPhone芯片提供芯片的傳聞引發(fā)廣泛關(guān)注。然而，業(yè)內(nèi)人士的最新觀點(diǎn)已基本否定了蘋(píng)果iPhone芯片采用英特爾先進(jìn)制程工藝的可能性。

過(guò)去幾周，GF證券和DigiTimes等媒體均披露，蘋(píng)果可能會(huì)選擇英特爾的18A-P工藝用于其最低端的M系列芯片，預(yù)計(jì)將于2027年出貨，以及用于非Pro版iPhone芯片，預(yù)計(jì)在2028年推出。GF證券還進(jìn)一步指出，蘋(píng)果的定制ASIC（專用集成電路）預(yù)計(jì)將于2028年推出，將采用英特爾的EMIB封裝技術(shù)。

英特爾的18A-P工藝是其首個(gè)支持Foveros Direct 3D混合鍵合技術(shù)的節(jié)點(diǎn)，該技術(shù)通過(guò)TSV（硅通孔）堆疊多個(gè)芯片裸片。然而，與臺(tái)積電不同的是，英特爾在其先進(jìn)的18A和14A節(jié)點(diǎn)上全面采用了背面供電技術(shù)（BSPD），而臺(tái)積電則提供了部分帶有BSPD和部分不帶BSPD的節(jié)點(diǎn)，以豐富其整體產(chǎn)品組合。

盡管BSPD可以提供一定的性能提升，例如通過(guò)背面更短、更厚的金屬路徑為芯片供電，降低電壓降，實(shí)現(xiàn)更高、更穩(wěn)定的工作頻率，同時(shí)釋放正面布線軌道，從而提高晶體管密度或減少擁塞和布線長(zhǎng)度，但對(duì)于移動(dòng)芯片而言，這種方法帶來(lái)的性能提升相當(dāng)有限。

更重要的是，這種方法會(huì)導(dǎo)致更嚴(yán)重的自熱效應(yīng)（SHE），需要為芯片提供額外的冷卻。實(shí)際上，所需的散熱器必須保持在“大約 20°C 以下，才能使BSPD在熱點(diǎn)處達(dá)到相同的芯片溫度（因?yàn)榇怪睙釘U(kuò)散很差，但橫向更差，現(xiàn)在沒(méi)有厚的硅襯底），而在許多依賴空氣冷卻或有最大允許外殼溫度的應(yīng)用中，這是根本不可能的。”（引自IanD在該線程中的評(píng)論）

由于這些散熱問(wèn)題，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，英特爾制造蘋(píng)果iPhone芯片的可能性“幾乎為零”，正如Jukan在其對(duì)X的評(píng)論中所強(qiáng)調(diào)的那樣。當(dāng)然，M系列處理器仍有可能采用英特爾的工藝。