在電力電子技術日新月異的當下，MOSFET 作為承載能量轉換與電路控制的核心功率器件，其性能表現直接決定了終端產品的能效水平、運行穩定性與使用壽命。從工業自動化生產線的核心控制單元，到消費電子的高效電源適配器；從新能源領域的小型逆變器，到汽車電子中的電機驅動系統，高壓 MOSFET 的品質與可靠性始終是行業創新發展的關鍵支撐。 

         杰盛微半導體深耕功率器件領域多年，憑借對核心技術的執著追求、嚴苛的全流程品質管控以及對市場需求的深刻洞察，正式推出JSM9N20C 200V N 溝道 MOSFET。這款凝聚了杰盛微技術沉淀的新品，以五大核心優勢重塑 200V 級 MOSFET 的性能標準，為多場景高壓應用提供兼具高效、可靠與靈活的一站式解決方案，助力行業客戶實現產品升級與創新突破。

一、低阻高效，功耗控制邁入新高度

導通電阻（RDS (on)）是衡量 MOSFET 能效的核心指標，直接決定了器件工作時的導通損耗，進而影響整機的能耗與散熱壓力。杰盛微通過優化芯片結構設計、采用先進的半導體工藝制程，使 JSM9N20C 在能效表現上實現了顯著突破：在 VGS=10V、ID=4.5A 的典型工作條件下，其靜態漏源導通電阻最大值僅為 0.4Ω，處于同規格產品的行業領先水平。

更低的導通電阻意味著在同等工作電流下，器件的導通損耗大幅降低，不僅能直接提升整機的能源利用效率，還能有效減少熱量產生，降低系統的散熱設計壓力。即使在大電流持續工作的嚴苛場景中，JSM9N20C 仍能保持穩定的低阻特性，避免因溫升過高導致的性能衰減，為大功率設備提供持續、可靠的功率支撐。這一特性使其在高頻開關電源、電機驅動等對能效要求嚴苛的應用中具備突出優勢，幫助客戶輕松滿足日益嚴格的節能標準。

二、典型應用場景：賦能多領域產業升級

憑借卓越的綜合性能與全面的參數配置，JSM9N20C 的應用場景覆蓋各類高壓電力電子領域，為不同行業的產品升級提供強大動力：

1. 開關電源領域

在高頻開關電源、工業控制電源、消費電子適配器等應用中，JSM9N20C 的低導通損耗與快速開關特性能夠顯著提升電源效率，減少待機功耗，幫助客戶打造符合能效標準的高品質電源產品；其寬電壓范圍與高可靠性則確保了電源在不同輸入電壓條件下的穩定運行。

2. 逆變器領域

小型光伏逆變器、高頻逆變器等產品對 MOSFET 的電壓耐受能力、開關速度與可靠性要求極高。JSM9N20C 的 200V 漏源電壓、快速開關響應以及 100% 雪崩測試認證，能夠完美適配逆變器的工作需求，確保能量轉換過程的高效與穩定，助力新能源應用的普及。

3. 電機驅動領域

直流電機驅動、步進電機驅動等場景中，MOSFET 需要承受大電流、高頻開關的工作壓力。JSM9N20C 的低導通電阻、9.0A 最大漏極電流以及優異的溫度穩定性，能夠為電機提供平穩、高效的驅動信號，同時減少驅動損耗，提升電機的運行效率與使用壽命，適用于工業自動化、機器人、家電等領域的電機控制。

4. 其他工業應用

在 UPS 不間斷電源、電焊機、照明設備驅動等工業場景中，JSM9N20C 的通用 TO-220 封裝便于系統集成，高功率損耗承載能力與寬溫工作特性能夠適應工業環境的嚴苛要求，為設備的穩定運行提供可靠保障。

三、關鍵參數：硬核性能，數據說話

（1）最大額定值

（2）動態特性

（3）漏源二極管特性

四、寬壓穩工，極端工況可靠性拉滿

在高壓電力電子應用中，器件面臨的工作環境復雜多變，電壓波動、過載沖擊等極端工況時有發生，因此電壓耐受能力與極端工況適應性是衡量產品可靠性的核心標準。JSM9N20C 在可靠性設計上層層加碼，為客戶提供堅如磐石的性能保障。

該器件的漏源擊穿電壓（BVDSS）高達 200V，柵極閾值電壓（VGS (th)）范圍為 2~4V，能夠靈活適應不同電壓等級的應用需求，為電路設計提供充足的電壓冗余。更值得關注的是，JSM9N20C 經過 100% 雪崩測試認證，單脈沖雪崩能量（EAS）可達 160mJ，雪崩電流（AR）高達 9.0A（測試條件：L=8mH、IAS=9A、VDD=50V、RG=25Ω，起始結溫 25℃），即使在突發過載、電壓尖峰等極端工況下，也能有效吸收能量，保護器件不受損壞，大幅降低系統故障風險。

同時，JSM9N20C 具備寬廣的工作溫度范圍：結溫（Tj）最高可達 150℃，存儲溫度范圍為 - 55~+150℃，能夠適應從低溫戶外環境到高溫工業車間的各類工作場景。此外，器件的柵極正向 / 反向漏電流（IGSSF/IGSSR）最大值僅為 ±100nA，零柵壓漏極電流（IDSS）最大值 1μA（Vds=200V、Vgs=0V），極低的靜態漏電流確保了器件在待機狀態下的低功耗表現，進一步提升了系統的綜合能效。

五、硬核參數，全場景性能有跡可循

除了五大核心優勢外，JSM9N20C 的全面參數配置進一步夯實了其在全場景應用中的性能實力，從電流承載、功率處理到二極管特性，每一項參數都經過精準調校，確保產品在不同工況下的穩定表現。

核心電氣參數亮點：

• 電流承載能力：在 25℃結溫下，最大漏極電流（ID）可達 9.0A；即使在 100℃的高溫環境中，仍能保持 5.7A 的穩定輸出，滿足中大功率應用的電流需求；

• 功率處理能力：25℃結溫下，器件的功率損耗（P0）可達 72W，具備較強的功率承載能力，能夠適應高負載工作場景；

• 二極管特性：漏源二極管最大連續正向電流（Is）為 9A，最大脈沖正向電流（ISM）高達 36A，正向電壓（VSD）最大值 1.45V（ID=9A），反向恢復時間（trr）典型值 140nS，反向恢復電荷（Qrr）典型值 2.2μC（測試條件：IS=9.0A、VGS=0V、diF/dt=100A/μS），優異的二極管特性確保了器件在續流場景中的高可靠性；

• 溫度穩定性：擊穿電壓溫度系數（△BVDSS/△TJ）典型值為 0.55V/℃（測試條件：ID=250μA，參考 25℃），良好的溫度系數使器件在不同溫度環境下的電壓特性保持穩定，避免因溫度變化導致的性能波動。

杰盛微：以技術創新引領品質升級

作為深耕功率器件領域的專業廠商，杰盛微半導體始終堅持以技術創新為核心，以品質可靠為基石，構建了從芯片設計、工藝制程到封裝測試的全流程研發與生產體系。公司匯聚了一支經驗豐富的半導體技術團隊，專注于功率 MOSFET、IGBT 等核心器件的研發創新，憑借對市場需求的敏銳洞察與技術趨勢的精準把握，持續推出符合行業發展需求的高品質產品。

JSM9N20C 的成功推出，是杰盛微在高壓 MOSFET 領域技術實力的集中體現。從芯片設計階段的性能仿真與優化，到工藝制程中的精準控制，再到封裝測試環節的嚴苛篩選，每一個環節都遵循行業高標準，確保產品的性能穩定與品質可靠。公司擁有先進的生產設備與完善的質量管控體系，通過嚴格的可靠性測試與環境測試，確保每一顆產品都能滿足客戶的應用需求。

未來，杰盛微將繼續深耕功率器件領域，聚焦新能源、工業自動化、汽車電子等核心應用場景，持續加大研發投入，推出更多高性能、高可靠性的功率器件產品，為全球電力電子行業的創新發展注入新動能。同時，公司將始終堅持以客戶為中心，提供全方位的技術支持與服務，與客戶攜手共贏，共創高效、可靠的電力電子未來。

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