據韓媒ChosunBiz援引業內人士報道，三星電子計劃于5月正式生產首批HBM4E內存性能樣品。這將為三星HBM4E在2027年至2028年大規模供應奠定基礎，并進一步鞏固其在英偉達（NVIDIA）供應鏈中的核心地位。

根據三星內部時間規劃，5月中旬將成為HBM4E研發進程中的關鍵分水嶺。屆時，三星晶圓代工部門將率先完成HBM4E核心邏輯芯片（Base Die）的生產，隨后將其交付給存儲器業務部門，進行后續的3D堆疊封裝工序。

與今年3月在NVIDIA GTC 2026大會上展示的僅用于技術驗證的演示樣品不同，此次5月生產的樣品將是首批符合客戶性能要求的工程樣品。在完成內部嚴格的性能評估且各項指標達標后，這些樣品將被送往英偉達進行進一步驗證。

在技術規格方面，三星HBM4E延續了HBM4的架構優勢，采用1c nm DRAM Die和4nm Base Die工藝。雖然制程節點未變，但三星在工藝細節上進行了精心優化，顯著提升了信號完整性和整體性能。據披露，HBM4E的單引腳數據傳輸速率高達16Gbps，整體帶寬突破4.0TB/s，相比現有的HBM4產品，傳輸速度提升37%，帶寬增加21%。

當前，HBM4作為第六代產品，正處于大規模鋪貨的前夜。三星已于今年2月宣布HBM4量產，其11.7Gbps的處理速度遠超業界標準。然而，面對英偉達下一代AI加速器“Vera Rubin Ultra”的嚴苛要求，僅僅依靠HBM4是不夠的。

HBM4E作為HBM4的增強版，承上啟下，既是對現有工藝的極致挖掘，也是通往未來HBM5的必經之路。對于三星而言，拿下HBM4E的首供資格，意味著鎖定了未來兩代AI芯片的“入場券”。

三星此次加速HBM4E的研發與送樣，背后是激烈的市場競爭。目前，全球HBM市場主要由三星、SK海力士和美光三家壟斷。此前，SK海力士憑借在HBM3E時代的先發優勢，在英偉達供應鏈中占據了領先地位。

為了扭轉局勢，三星采取了更為激進的策略。除了在GTC 2026上首發HBM4E概念外，三星還充分利用了其垂直整合（IDM）的優勢——即同時擁有晶圓代工和存儲器生產能力。這種模式使得三星能夠更快速地協調Base Die與DRAM Die的匹配，縮短從設計到成品的交付周期。

與此同時，競爭對手SK海力士也在全力反擊。據悉，SK海力士計劃在2026年陸續推出8層、12層和16層的HBM4E產品，并優先考慮在邏輯芯片上應用臺積電的3nm工藝，試圖通過更先進的制程來實現彎道超車。

隨著英偉達“Vera Rubin”平臺的臨近，AI芯片對內存帶寬的需求正逼近4TB/s的關口。三星計劃在2026年下半年實現HBM4E的批量生產，并目標在2027年占據全球HBM4E市場份額的50%以上。與此同時，三星已著手布局HBM5，計劃于2028年推出樣品，采用更精細的1d DRAM工藝和2nm制程。