WNSC10650T6J-HXY_DFN8X8B_碳化硅二極管_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8B 類別：碳化硅二極管 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流IO:10A 參數2：電壓VR:650V 參數3：壓降VF:1.37V 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該碳化硅二極管采用獨立式配置，具備10A的正向電流（IF）和650V的反向重復峰值電壓（VR），在高功率密度應用中表現出優異的電氣性能。其正向壓降（VF）低至1.37V，有助于降低導通損耗，提升系統整體能效。器件利用碳化硅材料特性，具備出色的開關速度與高溫工作穩定性，適用于需要快速恢復和高可靠性的電源轉換場合，如高效開關電源、光伏逆變模塊及高壓直流配電系統，可滿足對散熱性能和空間布局有嚴苛要求的設計需求。
