IPT022N10NF2SATMA1-HXY_TOLL_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TOLL 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:300A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:2mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管具備100V漏源電壓（VDSS）和高達(dá)300A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，適用于高功率應(yīng)用場景。其超低導(dǎo)通電阻僅為2mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)能效。器件具有優(yōu)良的開關(guān)特性和熱穩(wěn)定性，可支持大電流快速切換。典型應(yīng)用包括高性能電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、大功率直流變換器、儲能設(shè)備中的功率控制單元以及高電流電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路，適合對功率密度和效率有較高要求的復(fù)雜電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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