IXFH34N65X3-HXY_TO-247_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:43A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:75mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管具備650V的漏源擊穿電壓（VDSS），可穩定工作于較高電壓環境，適用于高壓開關電路。其連續漏極電流（ID）可達43A，導通電阻（RDON）低至75mΩ，有利于降低導通損耗，提高系統整體效率。該器件在高耐壓與低導通損耗之間實現良好平衡，適合用于開關電源、DC-DC變換器、逆變設備、高功率適配器及電力輸送管理模塊等應用，滿足對能效和熱性能有要求的電力電子設計方案。
