SIR104LDP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:85V 參數3：RDON:4.3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備85V漏源電壓（VDSS）和100A連續漏極電流（ID）能力，適用于中高功率開關電路。其導通電阻為4.3mΩ，有助于降低導通損耗，提高能效表現。器件采用先進半導體工藝，具有良好的熱穩定性與開關速度，適合用于大電流電源管理、DC-DC轉換模塊及電機控制等應用。優化的柵極設計減少了開關過程中的能量損耗，配合緊湊封裝，有利于實現高密度電路集成與可靠性能。
