NVMFD5C668NLWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:5.3mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管具備60V漏源電壓（VDSS）和80A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻典型值為5.3mΩ，有助于降低導通損耗，提升整體能效。低RDON與高電流承載能力使其適用于高頻率開關電源設計，如同步整流、DC-DC電壓轉換模塊及大功率負載驅動電路。器件在高電流密度和有限散熱條件下仍可保持穩(wěn)定性能，適合對空間布局和熱管理有要求的高性能電子設備電源管理單元。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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