NX6008NBKR-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.3A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:1900mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該N溝道場效應管具備60V的漏源電壓（VDSS）和0.3A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導通電阻為1900mΩ，適用于低電流開關場景。其較高的導通電阻適合在小功率電路中實現(xiàn)精確的電流控制與通斷功能。器件工作穩(wěn)定，開關響應良好，可廣泛用于便攜式設備電源管理、小型電子裝置的信號切換、電池供電電路的負載控制以及各類低功耗嵌入式系統(tǒng)中，滿足對空間占用和能耗敏感的應用需求，為小型化電子設計提供基礎支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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