ISZ0702NLSATMA1-HXY_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道場效應管具備60V漏源擊穿電壓（VDSS）和100A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻典型值為4mΩ。低RDON特性可有效降低導通損耗，提升系統能效，適用于高電流開關應用。其高功率密度設計支持快速開關響應，有助于減少能量損耗和發熱。該器件可應用于高效直流-直流轉換電路、大電流電源開關、電池管理系統中的功率控制，以及對空間和效率要求較高的緊湊型電子設備中，作為核心開關元件實現穩定可靠的功率調節。
