NVMFS4C03NWFT1G-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:150A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:1.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具有30V漏源電壓（VDSS）和150A的連續(xù)漏極電流（ID），適用于高電流開關(guān)應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻低至1.5mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，減少工作時(shí)的熱量產(chǎn)生，提升系統(tǒng)能效。優(yōu)異的電氣性能使其適合用于大功率電源轉(zhuǎn)換電路，如大電流同步整流、高效DC-DC變換器及高密度電池管理系統(tǒng)中的功率控制。器件具備良好的熱穩(wěn)定性和快速開關(guān)響應(yīng)，支持高頻運(yùn)行，可滿足高性能電子設(shè)備對(duì)低損耗、高可靠功率器件的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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