AON6384-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:DFN5X6-8L 類(lèi)別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤(pán) 參數(shù)1:電流ID:90A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:3mR 參數(shù)4:溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場(chǎng)效應(yīng)管具有30V漏源電壓(VDSS)和90A連續(xù)漏極電流(ID)能力,導(dǎo)通電阻低至3mΩ,具備優(yōu)異的導(dǎo)通性能和較低的功率損耗。其低RDSON特性有助于提升系統(tǒng)效率,減少散熱需求,適用于高密度電源設(shè)計(jì)。典型應(yīng)用包括大電流開(kāi)關(guān)電路、高效DC-DC轉(zhuǎn)換模塊、電池管理系統(tǒng)、便攜式高功率設(shè)備中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)與電源控制,適合對(duì)能效和熱管理有較高要求的電子產(chǎn)品。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà):18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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