SIRA84BDP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6-8L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:90A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:3mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買(mǎi)>-------
這是一款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具備30V漏源電壓（VDSS）和90A連續(xù)漏極電流（ID）能力，適用于高電流開(kāi)關(guān)應(yīng)用。其導(dǎo)通電阻低至3mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提高電源轉(zhuǎn)換效率。器件支持快速開(kāi)關(guān)響應(yīng)，適合高頻工作環(huán)境，可用于直流-直流變換電路、大電流電源開(kāi)關(guān)及電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊等場(chǎng)景。N溝道結(jié)構(gòu)在適配合理柵極驅(qū)動(dòng)條件下，可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的控制性能，是高密度電源設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵元件，適用于對(duì)能效和散熱有較高要求的電子系統(tǒng)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
