C3M0160120D-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:19A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:160mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備良好的導通特性和開關表現。其最大連續漏極電流ID為19A，漏源導通電阻RDON為160mΩ，能夠在高電壓環境下實現較為高效的電能傳輸。碳化硅材料的使用賦予器件高耐壓能力、優異的熱穩定性和較低的開關損耗，適用于對效率和可靠性有較高要求的電力電子系統。該器件可應用于高效能電源轉換裝置、新能源發電系統以及智能電力控制設備中，為復雜電路提供穩定、耐用的電子解決方案。
