NTH4L013N120M3S-HXY_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:165A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:13mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應(yīng)晶體管（MOSFET），具備優(yōu)異的導(dǎo)通與開關(guān)性能。其最大連續(xù)漏極電流ID可達165A，漏源導(dǎo)通電阻RDON低至13mΩ，有效降低導(dǎo)通損耗，提高系統(tǒng)效率。采用碳化硅材料，具備高耐壓、高熱導(dǎo)率和低開關(guān)損耗特性，適用于高功率密度和高頻開關(guān)場景。可廣泛用于高效電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)、可再生能源設(shè)備及智能電網(wǎng)相關(guān)電路中，提供穩(wěn)定可靠的電力控制與傳輸解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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