IMZA120R014M1HXKSA1-HXY_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:165A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為1200V高壓碳化硅N溝道場效應晶體管（MOSFET），具備優異的導通與開關性能。其最大漏極電流ID可達165A，導通電阻RDON低至13毫歐，能夠有效降低導通損耗，提高系統效率。碳化硅材料的使用使其具備更高的擊穿電場強度和熱導率，適用于高電壓、高頻率和高功率密度的電源轉換系統。該器件可廣泛應用于高效能電力電子設備中，如智能電網、可再生能源系統及高精度電機控制模塊，為系統提供穩定、可靠的電力支持。
