WPM1481-6-HXY_DFN2X2B-6L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN2X2B-6L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:16A 參數(shù)2：電壓VDSS:15V 參數(shù)3：RDON:11mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
該P溝道場效應(yīng)管具備15V的漏源電壓（VDSS）和12V的柵源電壓（VGS），連續(xù)漏極電流可達16A，導(dǎo)通電阻低至11mΩ。低RDON特性有助于減少功率損耗，提升系統(tǒng)整體效率。器件適用于中等電流負載的開關(guān)控制，常見于便攜式電子產(chǎn)品、電池供電設(shè)備的電源管理模塊、DC-DC轉(zhuǎn)換電路以及各類高密度板級設(shè)計中的反向極性保護與高端開關(guān)應(yīng)用，適合對導(dǎo)通損耗敏感的低電壓大電流場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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