C3M0900170D-HXY_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:1700V 參數3：RDON:800mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這是一款N溝道增強型場效應管，具有1700V的高漏源擊穿電壓（VDSS），可承受較高的電壓應力，適用于高壓開關場合。其連續漏極電流（ID）達5A，導通電阻（RDON）典型值為800mΩ，有助于降低導通損耗。柵源電壓范圍為±22V，具備較好的驅動兼容性。該器件適用于高壓電源轉換、開關電源、逆變器及高耐壓需求的功率控制電路中，滿足對效率與可靠性要求較高的設計場景。
