C3M0900170M-HXY_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:5A 參數(shù)2：電壓VDSS:1700V 參數(shù)3：RDON:800mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這是一款N溝道增強型功率MOSFET，具有1700V的高漏源擊穿電壓（VDSS），支持5A連續(xù)漏極電流（ID），導通電阻（RDON）為800mΩ，有助于降低導通損耗，提升系統(tǒng)能效。柵源電壓范圍為±22V，具備較強的驅(qū)動適應性與柵極可靠性。該器件適用于高電壓開關電源、高壓直流變換、逆變電路及功率調(diào)節(jié)裝置，可在高電磁干擾環(huán)境下穩(wěn)定工作，適用于對耐壓能力與導通性能有要求的功率轉換應用，滿足多種高壓場景下的電能控制需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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