SIR4604LDP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:65A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:8mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優(yōu)異的電性能表現(xiàn)，適用于多種高效能場景。其漏極電流ID可達65A，漏源電壓VDSS為60V，導通電阻RDON低至8mΩ，有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率。器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于電源管理、轉(zhuǎn)換器、電池保護電路及高密度電力電子設(shè)備中的開關(guān)應用。封裝形式可根據(jù)需求適配不同場景，滿足多樣化設(shè)計要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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