SI4156DY-T1-GE3-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:18A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有18A的漏極電流能力，漏源耐壓為30V，導(dǎo)通電阻低至5mΩ，適用于需要高效開關(guān)與穩(wěn)定性能的電源系統(tǒng)。該器件采用先進工藝制造，具備良好的熱穩(wěn)定性和高可靠性，可廣泛應(yīng)用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、功率調(diào)節(jié)模塊、電池管理系統(tǒng)及各類精密電子設(shè)備中，滿足多樣化電路設(shè)計對效率與性能的高要求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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