IRF7311TRPBF-HXY_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:6A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:21mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購買>-------
本款NN溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備20V的漏源擊穿電壓（VDSS）與21mΩ的導(dǎo)通電阻（RDON），可持續(xù)承載最高6A的漏極電流（ID）。該器件內(nèi)部集成雙N溝道結(jié)構(gòu)，有助于簡(jiǎn)化外圍電路設(shè)計(jì)并提升開關(guān)效率。其低導(dǎo)通電阻有效減少導(dǎo)通損耗，適用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池管理及小型電機(jī)控制等應(yīng)用場(chǎng)景，特別適合對(duì)體積與效率有要求的消費(fèi)類電子和便攜式設(shè)備使用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
高新企業(yè)
