SI4116DY-T1-E3-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:15A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有以下主要參數(shù)：最大漏極電流ID為15A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導(dǎo)通電阻RDON為7.5mΩ。該器件適用于需要高效能功率管理的電子設(shè)備，能夠在中高功率應(yīng)用中實現(xiàn)較低的導(dǎo)通損耗，支持高頻開關(guān)操作。由于其優(yōu)異的電氣性能和穩(wěn)定性，可廣泛用于電源轉(zhuǎn)換、電機控制、儲能系統(tǒng)及各類消費類電子產(chǎn)品中，為電路設(shè)計提供可靠的支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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