IRFR1018ETRPBF-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有以下性能參數(shù)：最大漏極電流ID為80A，漏源耐壓VDSS為60V，導(dǎo)通電阻RDON為6.5mΩ。該器件適用于高功率密度和高效能轉(zhuǎn)換的應(yīng)用場(chǎng)景，如直流電源轉(zhuǎn)換、高性能電機(jī)控制、儲(chǔ)能設(shè)備以及各類(lèi)大電流電子裝置中的開(kāi)關(guān)與功率調(diào)節(jié)電路。其低導(dǎo)通電阻有助于減少能量損耗，提升系統(tǒng)工作效率，同時(shí)具備良好的熱穩(wěn)定性和負(fù)載適應(yīng)能力。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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