SQ4410EY-T1_GE3-HXY_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:15A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:7.5mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有以下主要參數(shù)：最大漏極電流ID為15A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導(dǎo)通電阻RDON低至7.5毫歐。該器件適用于需要高效功率控制的場景，能夠提供良好的電氣性能與熱穩(wěn)定性。其低導(dǎo)通電阻特性有助于減少能量損耗，提高系統(tǒng)整體效率。同時，30V的漏源耐壓能力使其可勝任多種中低壓功率應(yīng)用環(huán)境。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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