DMTH10H025SK3-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:20mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備100V漏源電壓（VDSS）和40A連續漏極電流（ID）能力，導通電阻（RDON）僅為20毫歐，適用于高效率功率開關設計。器件采用優化的晶圓結構，提升了開關速度與熱穩定性，可廣泛用于電源適配器、電池管理系統、智能家電及通信設備中的功率控制電路，滿足對能效與可靠性要求較高的應用場景。
