NVD6824NLT4G-VF01-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備100V漏源耐壓（VDSS）與40A最大漏極電流（ID），適用于多種中高功率電路場景。其導通電阻低至20mΩ（RDON），有助于減少導通狀態(tài)下的能量損耗，提高整體效率。器件采用成熟穩(wěn)定的封裝工藝，具備良好的散熱性能和長期可靠性，適合用于電源轉換、電機驅動、LED照明以及智能家電等領域的開關與控制應用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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