DMT10H025LK3-13-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:20mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備100V的漏源耐壓（VDSS）和40A的連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）低至20mΩ，可顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率。器件適用于中高功率電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用，如高效能電源供應(yīng)器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路及智能家電中的功率控制模塊。其良好的熱穩(wěn)定性和優(yōu)異的開關(guān)特性，使其在高頻工作環(huán)境下仍能保持可靠運(yùn)行，滿足對(duì)功率密度與能效有較高要求的設(shè)計(jì)場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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