IXTH4N150-HXY_TO-3PF_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-3PF 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管 參數(shù)1：電流ID:3.7A 參數(shù)2：電壓VDSS:1500V 參數(shù)3：RDON:1000mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有1500V的漏源擊穿電壓（VDSS）和3.7A的連續(xù)漏極電流（ID），適用于中高電壓功率控制應(yīng)用。導(dǎo)通電阻為1000mΩ（RDON），在保證良好導(dǎo)電性能的同時(shí)降低了功耗，柵源電壓（VGS）最大支持20V，增強(qiáng)了器件的控制精度與穩(wěn)定性。該器件適合用于電源轉(zhuǎn)換、LED驅(qū)動(dòng)、電機(jī)控制等電子電路中，具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，可滿足多種高性能功率電路的設(shè)計(jì)需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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