IXTH2N150L-HXY_TO-3PF_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-3PF 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管 參數1：電流ID:3.7A 參數2：電壓VDSS:1500V 參數3：RDON:1000mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備1500V漏源擊穿電壓（VDSS）和3.7A連續漏極電流（ID），適用于中高電壓功率控制場景。導通電阻為1000mΩ（RDON），在保證開關性能的同時降低了導通損耗，柵源電壓（VGS）最大支持20V，提升了器件的控制穩定性與適用范圍。該器件可廣泛應用于電源適配器、LED照明驅動、電機控制模塊及其他電子設備中的功率調節電路，滿足多種通用型高性能電路對效率與可靠性的需求。
