DMTH6016LK3Q-13-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:50A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:11mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本N溝道場效應管（MOSFET）具有60V漏源擊穿電壓（VDSS）和50A連續漏極電流（ID）能力，導通狀態下的漏源電阻低至11mΩ（RDON），可顯著減少導通損耗，提升系統能效。器件采用優化設計，具備良好的熱穩定性和可靠性，適用于高效率電源轉換器、開關穩壓電路、電池管理系統及各類便攜式電子設備中的功率控制應用，滿足對性能與尺寸均有較高要求的使用場景。
