AIMW120R060M1HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:40A 參數2：電壓VDSS:1200V 參數3：RDON:60mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款碳化硅（SiC）N溝道場效應晶體管（MOSFET）具有1200V的漏源耐壓（VDSS）和40A的最大漏極電流（ID），導通電阻（RDON）僅為60毫歐，具備優異的導電性能與低損耗特性。基于碳化硅材料的寬禁帶半導體特性，該器件支持高頻開關操作，同時減少開關損耗，提升整體系統效率。適用于高性能電源轉換設備、新能源發電系統的功率調節模塊以及高密度電源適配器等場景，為高效、小型化的電路設計提供可靠支持。
