SI3400A-HXY_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5.8A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:28mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS）和5.8A的額定漏極電流（ID），導通電阻（RDON）僅為28毫歐，能夠有效降低導通損耗并提升系統效率。器件適用于中高功率電源轉換應用，如DC-DC變換器、同步整流電路、電池管理及負載開關等場景。其優異的熱穩定性和快速響應特性，使其在高密度電源設計中表現出良好的可靠性與性能一致性。
