AOSD32334C_SOP-8_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:8.5A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:17mR 參數(shù)4：溝道類型:N+N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款場效應(yīng)管（MOSFET）采用NN溝道組合設(shè)計，具備優(yōu)異的導(dǎo)通與開關(guān)性能。其漏極電流ID可達8.5A，漏源電壓VDSS為30V，確保在中功率應(yīng)用中的可靠性。導(dǎo)通電阻RDON低至17mΩ，有助于降低功耗并提升效率。適用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負載開關(guān)以及高密度電力電子設(shè)備的設(shè)計，為電路提供高效、穩(wěn)定的控制能力，適合對性能和空間布局均有要求的場景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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