IRLR8256PBF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:100A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備較高的電流承載能力，最大漏極電流ID可達100A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，導通電阻RDON低至3.8mΩ。該器件在高效率功率轉換和開關控制中表現出良好的電氣性能，適用于多種電子系統設計。其低導通電阻有助于降低功耗，提升整體系統效率。可廣泛應用于電源管理模塊、高頻開關電路以及各類高性能電子設備中，滿足對功率密度與穩定性要求較高的使用場景。
