IRLR3105TRPBF-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:27mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）采用先進工藝制造，具備優異的導通與開關性能。其主要參數包括：漏極電流ID為20A，漏源電壓VDSS達60V，導通電阻RDON低至27毫歐，適用于需要高效能功率管理的多種場景。器件結構優化，支持快速開關操作，減少能量損耗，同時具備良好的熱穩定性和可靠性。可廣泛應用于電源轉換、電機控制、消費類電子及高性能計算設備中的功率調節模塊，為系統提供穩定、高效的運行表現。
