NTMFS5832NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:130A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:2.8mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優異的電性能表現，適用于多種高效率電源管理系統。其主要參數包括：最大漏極電流ID為130A，漏源電壓VDSS為40V，導通電阻RDON低至2.8mΩ，有助于降低功率損耗并提升系統效率。該器件采用先進工藝制造，具備良好的熱穩定性和可靠性，適用于如高效同步整流、DC-DC轉換器、電源開關以及各類中高功率電子設備的設計與應用。
