DMT615MLFV-13-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:12mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備40A漏極電流（ID）和60V漏源電壓（VDSS），導(dǎo)通電阻（RDON）低至12mΩ，可在較高功率條件下實(shí)現(xiàn)快速開關(guān)與低損耗運(yùn)行。器件采用成熟穩(wěn)定的半導(dǎo)體工藝制造，具有良好的熱性能和長期工作可靠性。適用于各類電源變換裝置、高效能電池管理系統(tǒng)、直流電機(jī)控制以及高精度開關(guān)電路，為復(fù)雜電力環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行提供技術(shù)支持。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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