IPD160N04LG-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:18mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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本產(chǎn)品為N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET），具有良好的導(dǎo)通特性和高頻響應(yīng)能力。其主要參數(shù)包括：漏極電流ID為30A，漏源擊穿電壓VDSS為40V，導(dǎo)通電阻RDON低至18mΩ，有助于降低導(dǎo)通損耗并提高系統(tǒng)效率。適用于電源管理、開關(guān)電路、負(fù)載控制及直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景，支持高密度和高效能的電路設(shè)計(jì)需求，是一款性能穩(wěn)定、適用范圍廣泛的功率器件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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