DMTH47M2LFVW-7-HXY_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:40A 參數(shù)2：電壓VDSS:40V 參數(shù)3：RDON:6.9mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有40A的漏極電流ID和40V的漏源電壓VDSS，適用于多種中高功率電路設(shè)計。導通電阻RDON僅為6.9mΩ，有效降低導通狀態(tài)下的功率損耗，提升系統(tǒng)整體效率。器件具備良好的熱穩(wěn)定性和耐用性，適合用于電源管理、DC-DC轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、儲能設(shè)備以及其他對效率與可靠性有要求的電子電路應(yīng)用場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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