NDS8435A-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:11A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:13mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具備良好的導電性能與穩定的電氣參數。其最大漏極電流ID為11A，漏源擊穿電壓VDSS為30V，適用于多種中低壓功率場景。導通電阻RDON僅為13mΩ，有助于減少功率損耗并提升整體效率。該器件常用于電源轉換、電池管理、DC-DC變換器及各類便攜式電子設備中，實現高效的開關控制功能。標準的封裝形式便于集成與生產，滿足多樣化電路設計的需求。
