SI2377EDS-T1-BE3-HXY_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.2A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:48mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備4.2A的連續(xù)漏極電流（ID）和20V的漏源擊穿電壓（VDSS），導通電阻（RDON）為48毫歐，適用于中低功率開關(guān)電路。其低導通電阻有助于降低導通損耗，提高系統(tǒng)效率。該器件可廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理、直流負載控制等領(lǐng)域，適合嵌入于通信模塊、家用電器及小型電子設(shè)備中，滿足高效、緊湊型電路設(shè)計的需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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