SIR1309DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:70A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:6mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具有30V的漏源耐壓（VDSS），可承受高達70A的連續漏極電流（ID），導通電阻（RDON）低至6mΩ，有助于降低導通損耗并提升系統效率。該器件采用先進工藝制造，具備良好的熱穩定性和可靠性，適用于各類中高功率電源管理系統、直流電機控制、負載開關電路以及電池供電設備中的功率切換應用。其封裝形式便于安裝與散熱，能夠滿足多種高性能電子設備的設計需求。
