SQD100N03-3M4_GE3-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:120A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具備30V的漏源擊穿電壓（VDSS）與120A的最大漏極電流（ID），適用于較高電流負載的電路應用場景。其導通電阻（RDON）低至3毫歐，有助于減少導通狀態下的功率損耗，提高整體效率。器件基于高密度溝槽工藝設計，具備良好的熱穩定性和耐久性，適合用于電源轉換、開關控制、電池管理系統及高性能電子設備中。優異的電氣性能和可靠性可滿足多種通用型電路設計需求。
