RD3L03BATTL1-HXY_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:29mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款P溝道場效應管（MOSFET）具有60V的漏源擊穿電壓（VDSS）和30A的最大漏極電流（ID），適用于中高功率應用場景。導通電阻（RDON）低至29毫歐，有效降低導通損耗，提高系統效率。器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩定性和可靠性，適用于電源管理、開關電路、負載控制及便攜式設備等各類通用電子應用。其封裝形式便于安裝與散熱，可滿足多種電路設計需求。
