DMPH6023SK3-13-HXY_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類(lèi)別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:29mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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本款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有60V漏源電壓（VDSS）和30A連續(xù)漏極電流（ID）能力，導(dǎo)通電阻（RDON）低至29毫歐，可顯著降低功率損耗并提升系統(tǒng)效率。器件結(jié)構(gòu)優(yōu)化，具備良好的熱穩(wěn)定性和開(kāi)關(guān)特性，適用于多種電源管理與轉(zhuǎn)換場(chǎng)景。主要應(yīng)用包括同步整流、直流電源開(kāi)關(guān)控制、電池管理系統(tǒng)及高效能負(fù)載開(kāi)關(guān)電路。其P溝道設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化了驅(qū)動(dòng)電路，廣泛用于通信設(shè)備、智能家電、便攜式電子產(chǎn)品等對(duì)效率與空間有要求的應(yīng)用場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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