SH8J66TB1-HXY_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:11A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:14mR 參數(shù)4：溝道類型:P+P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為PP溝道場效應管（MOSFET），具備11A的持續(xù)漏極電流能力和30V的漏源擊穿電壓，適用于中功率電源轉(zhuǎn)換場景。導通電阻低至14mΩ，可有效減少導通損耗，提高整體系統(tǒng)效率。該器件采用雙P溝道設計，適合用于高邊開關、負載切換及同步整流電路中，提供良好的熱穩(wěn)定性和操作可靠性。其封裝形式便于散熱與集成，廣泛應用于各類便攜式設備、電源適配器及智能控制電路中的功率調(diào)節(jié)環(huán)節(jié)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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