DMC2710UDWQ-13-HXY_SOT-363_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.8A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:320mR 參數(shù)4：溝道類型:N+P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為NP溝道場效應(yīng)管（MOSFET），主要參數(shù)包括：漏極電流ID為0.8A，漏源擊穿電壓VDSS為20V，導(dǎo)通電阻RDON為320mΩ。該器件適用于需要高效開關(guān)與信號控制的電路設(shè)計，可廣泛用于電源管理、邏輯切換及小型電子設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)單元。其低導(dǎo)通電阻特性有助于降低能耗并提升系統(tǒng)效率，是一款適用于多樣化電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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