SIR882BDP-T1-RE3-HXY_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本款N溝道場效應管（MOSFET）具有優異的導通性能與較高的電流承載能力，適用于多種高效能場景。其漏極電流ID可達80A，漏源電壓VDSS為100V，確保在較高功率條件下穩定運行；導通電阻RDON低至6.4mΩ，有效降低功耗并提升整體效率。該器件采用成熟工藝制造，具備良好的熱穩定性和耐久性，適合用于電源管理、開關電路、電機控制及高密度電力系統等對性能和可靠性有要求的應用領域。
